Инженеры Техасского университета создали одно из самых маленьких запоминающих устройств в истории, сделанное из двумерного материала с площадью поперечного сечения всего в один квадратный нанометр.
Это устройство работает за счет движения отдельных атомов, что открывает путь для небольших систем памяти с невероятной плотностью информации.
Прототип принадлежит к новому классу электронных устройств - мемристорам, в которых для хранения данных используются резистивные переключатели. По сути, когда материал подвергается воздействию определенного напряжения, его сопротивление может изменяться, становясь сильнее или слабее. Это явление можно использовать для записи данных в устройство, а затем можно измерить его относительное сопротивление для чтения сохраненных данных.
Дисульфид молибдена изготавливается в виде тонких пластинок размером 1 × 1 нанометр и толщиной всего в один атом. Его можно использовать для изготовления микросхем с емкостью хранения около 25 ТБ на квадратный сантиметр, что примерно в 100 раз превышает емкость, которую может предоставить текущая флэш-память. Кроме того, для работы требуется меньше энергии.
